官方网站2025年末，当上海微电子的28纳米浸没式DUV光刻机正式进入量产阶段，标志着中国在芯片制造最核心装备领域实现了从无到有的历史性突破。

　　这一突破背后，是中国科技工作者二十余年坚持不懈的努力，更是面对外部技术封锁的绝地反击。

　　光刻机作为芯片制造的核心设备，其精密程度堪比在头发丝上雕刻万里长城。 全球高端光刻机市场长期被荷兰ASML垄断，尤其是最先进的EUV光刻机，全球仅此一家。

　　日本的尼康和佳能则在DUV光刻机领域占据重要份额。 这种垄断格局不是一天形成的，早在上世纪八十年代，美国、日本和欧洲的企业就在这个领域激烈竞争，最终只剩下几家巨头。

　　中国在光刻机领域的探索并非始于今日。 早在上世纪八十年代，中科院就已经开始相关研究，但当时最多只能做到微米级精度，与国际上的纳米级水平相差甚远。

　　从九十年代到2000年初，在市场化浪潮中，很多研发项目因为投入大、见效慢而被迫中断。

　　2002年，光刻机被正式列入“863重大科技攻关计划”。 在科技部和上海市政府牵头下，国内多家科技企业共同组建了上海微电子，以承担攻坚项目任务。

　　当时担任上海微电子总经理的贺荣明带着技术团队去欧洲、美国等地开展技术合作时，几乎都被当成“国际骗子”。 一名德国工程师甚至直言：“就是给你们全套图纸，你们也做不出来！ ”

　　这种技术轻视反而激发了国内科研人员的斗志。 在上海张江高科技园区一片农田旁的鱼塘边，上海微电子开工建设，落地扎根。

　　贺荣明带着几位满怀梦想的“战友”来到张江，开启了研制国产光刻机的艰难之路。 “除了出差，每天早上7点出门，晚上10点回家，周六保证不休息，周日休息不保证。 这就是我十几年生活的全部。 ”贺荣明在接受媒体采访时这样描述那段岁月。

　　技术突破的道路异常艰难。 光刻机对技术、精度、速度要求已高到难以想象，逐步成为一种集合数学、光学、流体力学、高分子物理与化学、表面物理与化学、精密仪器、机械、自动化、软件、图像识别等领域顶尖技术的产物。

　　贺荣明曾打了个比方：“其难度相当于两架大飞机从起飞到降落，始终齐头并进。 一架飞机上伸出一把刀，在另一架飞机的米粒上刻字，不可以出差错。 ”

　　在巨大的技术挑战面前，上海微电子采取了务实的发展策略。 在攻坚100nm前道光刻机的同时，抽调部分人员研制封装光刻机。

　　这一决策后来被证明是正确的选择，使得上海微电子在封装光刻产品国内市场占有率达80%、全球市场占有率为40%。

　　2018年以来，面对外部技术封锁的加码，中国光刻机产业走上了全产业链协同作战的道路。

　　从国家集成电路大基金三期3440亿元的精准投入，到82家企事业单位组成的产业联盟协同攻关，中国走出了一条差异化突破的务实路线纳米光刻机的稳定出货，28纳米设备也进入了工厂测试阶段。 这一突破的意义在于，28纳米及以上的成熟制程在全球芯片需求中占的比例很大。

　　汽车芯片大多数都用不到7纳米，工业控制芯片、消费电子芯片、物联网芯片这些市场的需求量都是特别大的，而这些领域用的就是28纳米及以上的工艺。

　　其核心技术指标包括：光源功率达到60-120瓦，套刻精度≤8纳米，分辨率≤65纳米，每小时可处理150片晶圆，良率稳定在85?5%区间。

　　国产DUV光刻机的量产并非单点技术突破，而是全链条协同创新的结果。 在光源系统方面，科益虹源成为世界上第三家掌握193nm ArF准分子激光技术的企业；在光学系统方面，长春光机所、奥普光电等国产供应商实现了高数值孔径镜头设计；在工件台系统方面，华卓精科成为全球第二家掌握双工件台技术的企业，定位精度达纳米级。

　　核心零部件的国产化突破包括：华卓精科的双工件台、科益虹源的光源、长春光机所的光学镜片、南大光电的光刻胶等。 这些核心部件的突破，为整机研发奠定了坚实基础。

　　在光刻机研发过程中，中国科研人员创新性地探索了多条技术路线纳米的DUV光刻机反复曝光30多次，把线纳米级别，成功生产了麒麟9000S芯片。 这种方法虽然成本高、效率低，但证明了在没有EUV的情况下也能制造先进芯片。

　　光刻机的研发不仅需要技术创新，还需要产业链上下游的紧密配合。 在配套材料领域，南大光电的ArF光刻胶通过中芯国际验证，清溢光电的掩膜版良率提升至90%；在软件与数字化技术方面，国内研发团队在光刻机内部部署密集传感器网络，通过AI建模构建数字孪生系统，将设备调试周期大幅缩短，使用寿命延长20%以上。