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　　国家知识产权局信息显示，深圳市北测检测技术有限公司与华东师范大学申请一项名为“一种自修复芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121693172A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种自修复芯片及其制备方法，制备方法包括：对玻璃基板进行初步蚀刻处理和激光刻蚀处理，得到具有流道网络的基板；将氧化物合金与引发剂进行混合形成核芯浆料，对核芯浆料进行脉冲激光沉积处理，形成具有内层和外层包覆的胶囊结构；在真空环境下，将胶囊结构填充至流道网络，对填充后的流道网络上表面沉积石墨烯薄膜并电镀铜布线层，得到集成结构；对集成结构的边缘键合预设间距的应力传感器阵列和红外激光器阵列，得到自修复芯片。本申请解决现有技术因修复剂提前液化流失与被动机械触发滞后导致的自修复失效问题，使芯片在‑65℃至250℃温度循环及高频振动冲击条件下连续服役寿命延长。

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